中信證券發布研究報告稱，行業周期角度，海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善，主流存儲價格23Q3起持續回暖，看好產業鏈公司23H2業績底部復蘇，及24全年持續改善。國內廠商主要布局利基存儲設計或主流存儲模組環節，23Q2大部分存儲廠商毛利率已至近年低位，庫存見頂，營收/出貨量出現環比增長，部分廠商利潤端環比改善。預計23H2隨庫存去化，需求逐步回歸，未來行業細分龍頭有望迎來業績修復機會，看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加國產化趨勢下的投資機遇。

中信證券主要觀點如下：

DRAM方面：9月多數產品價格出現上漲，環比-1.04~+23.81%，本輪高點21年(3-6月)至23年(7-9月)低點累計跌幅爲69~86%，觸底後累計漲幅爲0~26%。

高端DRAM(DDR5)合約價格穩定，主流DRAM(DDR4)價格由跌轉漲，多數產品價格出現上漲，9月漲跌幅-1.04~+23.81%(8月漲跌幅-6.12~+6.45%)，利基DRAM(DDR3)價格漲幅在5.26~23.81%(8月跌幅2.06~4.55%)，目前價格均出現反彈。目前盡管市場仍供過於求，然原廠控產意愿堅定，DRAM價格漲幅和持續性仍取決於實際需求恢復程度。

根據TrendForce，23Q3 DRAM跌幅收縮至0~5%;預計23Q4 DRAM合約價將止跌回升，漲幅爲3~8%，各下遊DDR5漲幅將超過DDR4，其中Mobile DRAM LPDDR5(X)供應略顯緊張，漲幅預計將達5~10%，超過平均漲幅。

NAND Flash方面：9月NAND Flash價格持續回升，環比0.00~+19.87%(512Gb價格連續三月環比上漲，256Gb價格連續兩個月環比上漲，128Gb價格保持穩定)，本輪高點21年(8月)至23年(7-8月)累計跌幅爲47~72%，觸底後累計漲幅爲0~30%。

根據CFM閃存市場，8月初至10月13日，512Gb Wafer價格從1.51美元上漲至1.81美元，漲幅達20%;根據TrendForce，由於原廠嚴格控制產能，預計NAND Flash第四季合約價有望全面起漲，漲幅約8~13%，其中3D NAND Wafer漲幅將達13~18%。

存儲模組方面：9月多數存儲模組產品價格上漲，本輪高點22年3月至23年10月10日累計跌幅45~64%(SSD&DDR4)，觸底後累計漲幅0~18%。

根據CFM閃存市場，截至10月10日，DDR4 UDIMM(8GB 3200)已從底部由約10.2美元上漲至12美元，漲幅約18%，OEM SSD(512GB SATA)由約19美元上漲至22美元，漲幅約16%，多數產品價格均出現上漲。根據TrendForce，受益於智能手機新機發布和季節拉貨效應，以及在原廠強勢報價下，預計eMMC、UFS模組Q4合約價漲幅將達10~15%。

整體來看，模組產品單價已於Q3末开始回暖，隨下遊需求持續復蘇，同時原廠積極限產、上遊Wafer價格處於底部回升階段，模組環節盈利水平有望持續修復。

價格傳導分析：Wafer價格上漲已傳導至模組現貨端，9月模組端漲幅進一步擴大。

5月起，美、韓系廠商大幅減產後，部分供應商已經开始調高wafer報價;由於多數供應商已开始減產，庫存壓力在Q3下降，三星等原廠報價態度強勢，Q3合約價已出現較大幅度反彈，並刺激买方採購意愿，加速供需平衡。

8月末起，晶圓端漲價已开始傳導至模組端，根據CFM閃存市場，SSD、EMMC、UFS等模組產品中多數已出現不同幅度的上漲，並延續到9月且漲幅進一步擴大。

展望後續，預計10月漲價將持續，然供需關系短期仍未發生根本轉變，漲幅或將相對收窄。Wafer合約價格在本輪周期復蘇和漲價中表現相對溫和，且具備持續性，對行業整體供需關系的趨勢判斷更具參考意義。預計23Q3 NAND各環節漲價將延續至23Q4;隨DRAM持續減產以及下遊服務器市場復蘇，預計23Q4 DRAM價格有望持續回升。

中國台灣廠商高頻數據：

主流存儲器價格仍相對承壓，中國台灣存儲市場的重點公司如旺宏、華邦電、南亞科、力積電營收同比下降，但進入三季度，受益於市場回暖、部分產品價格上漲，9月除旺宏外各家營收環比均上升：旺宏9月營收同比-39.58%，環比-3.84%;華邦電9月營收同比同比-7.96%，環比+5.32%;南亞科9月營收同比-15.03%，環比+5.80%;力積電9月營收同比-41.83%，環比+0.84%。

供給端：爲應對行業供過於求，主流原廠控產意愿堅定，庫存水位有望持續修復。

據各公司業績交流會，美光FY2023資本支出計劃降至70億美元，同比-40%以上，並將對DRAM和NAND進一步減產30%至2024年;SK海力士FY2023資本开支計劃將同比削減超50%，並決定對NAND進一步減產5-10%;西部數據預計FY2024資本支出將大幅下降，三星平澤與西安廠擴大減產幅度;預計23H2大廠庫存消耗速度將加快，促使半導體整體產業狀況改善。

量產、擴產方面，美光計劃於2024年初开始大量出貨HBM3E，正在進行英偉達認證;三星電子計劃明年初量產第9代NAND;三星、SK海力士有望加快DDR5增產步調。

從歷史周期看，資本开支增速與市場規模增速強相關性，隨着各大存儲廠商陸續下調2024年資本开支計劃並降低稼動率，預計2024年行業供給增速將低於需求增速，供需將逐步達到平衡，有助於庫存修復，看好存儲板塊周期2023年下半年見底，2024年穩步回升。

需求端：下遊廠商“降成本、去庫存”趨勢持續，看好需求逐步復蘇。

2022年需求疲軟下行業庫存持續攀升，23H1行業庫存持續去化，具體來看，IoT品類中海外市場及低階產品需求更好，Q2供應鏈去庫存接近尾聲，下遊客戶逐步恢復拉貨;手機品類中高端產品需求穩定，低階產品需求更具韌性(性價比凸顯)，供應鏈中部分細分品類庫存去化進展順利，已進入補庫存階段;PC 23Q2庫存持續去化，23H2需求有望進一步回暖;傳統服務器行業仍處於庫存去化階段。

目前終端廠商已處於去庫存後期，全年出貨有望前低後高，看好23H2至24年下遊需求回暖趨勢：

1)服務器端，預計23Q3需求有望實現環比增長，看好23H2 DDR5服務器端需求提升，同時AI服務器DRAM和NAND的容量需求(content)是傳統的6~8x和3x;

2)PC端，預計23年PC出貨同比下滑低兩位數(low-double digit);

3)手機及智能終端，預計23年智能手機出貨同比下降中個位數(mid-single digit)，年內前低後高，庫存逐季改善;

4)汽車端穩健增長，預計23Q3工業市場初步復蘇，行業庫存及需求有望在23H2持續改善。

投資建議：

看好海外原廠控產主導下存儲價格溫和復蘇，行業細分龍頭有望迎來業績修復機會。行業周期角度，海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善，主流存儲價格23Q3起持續回暖，看好產業鏈公司23H2業績底部復蘇，及24全年持續改善。國內廠商主要布局利基存儲設計或主流存儲模組環節，23Q2大部分存儲廠商毛利率已至近年低位，庫存見頂，營收/出貨量出現環比增長，部分廠商Q2利潤端環比改善。

預計23H2隨庫存去化，需求逐步回歸，未來行業細分龍頭有望迎來業績修復機會，看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加國產化趨勢下的投資機遇。建議關注：1)存儲模組;2)存儲芯片設計;3)存儲配套芯片。

風險因素：

下遊需求復蘇不及預期;芯片價格持續下跌;行業競爭加劇;新技術研發進展緩慢;國際地緣政治衝突等。

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標題：中信證券：RAM價格全线上漲 看好後市高端產品漲價持續性

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