來源：內容由半導體行業觀察轉載自經濟日報。

韓媒披露，全球第二大DRAM廠暨儲存型快閃記憶體（NAND Flash）二哥SK海力士將大砍明年資本支出七至八成。加上先前美光、鎧俠已揭露下修資本支出或大幅減產計劃，這三大指標廠市佔總和已能與龍頭三星抗衡，其縮減投資與產出將加速記憶體市況趕底復蘇。

此前，美光率先宣布下修明年度資本支出三成，其後鎧俠也揭露日本廠區減產三成訊息，SK海力士則是目前傳出資本支出修正幅度最大的記憶體廠。

根據市調機構集邦科技（TrendForce）統計，今年第2季SK海力士NAND芯片全球市佔19.9%，鎧俠15.6%，美光12.6%，三家公司超過三星的33%；DRAM方面，今年首季SK海力士市佔27.3%，美光23.8％，兩家公司市佔總和逼近三星的43.5%。

業界人士指出，美光、鎧俠、SK海力士在全球DRAM與NAND芯片市佔總和進逼甚至超越三星，時值記憶體市場供過於求，價格直直落，三大廠不約而同大幅縮減投資或產出，對市場正面效果「比三星單一公司宣布減產或縮手資本支出還可觀」。

南韓媒體報導，考量記憶體市況疲弱，SK海力士明年資本支出將大幅縮減七至八成；據悉，SK海力士過去都在每年8至9月決定隔年設備投資計劃，但由於疫情、設備交期等因素，SK海力士今年提前下單，4月便與供應商談明年設備投資，隨着芯片供給過剩， 9 月底开始對設備商砍單。

先前美光也因需求下滑，放慢生產速度並削減資本支出，預期2023會計年度資本支出將減少約80億美元，即至少30%，晶圓廠設備支出減少50%；日商鎧俠隨後宣布，10月起將旗下位於日本四日市及北上市快閃記憶體廠產能下調近30%。

集邦認爲，在各大原廠DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後，2023全年DRAM供過於求比率將由原先預估的11.6%，收斂至低於10%，有助改善快速惡化的庫存壓力。業界認爲，隨大廠逐步減產或縮減資本支出，將能加速產業市況走出谷底。

存儲芯片供應商斷臂自救

消費性電子需求疲弱，芯片生產鏈加快庫存去化，記憶體同樣面臨供過於求壓力，DRAM及NAND Flash第三季合約價格大跌，價格跌勢恐延續到明年上半年。爲了減緩價格下跌速度及幅度，包括美光、鎧俠等大廠已透露將減產保價，業者預期韓系大廠第四季應會加入減產行列，讓記憶體價格在明年第一季提前觸底。

台灣記憶體廠南亞科、華邦電等目前沒有減產動作，包括威剛、群聯等模組廠則降低庫存因應，業者寄望國際大廠減產能讓下半年價格跌勢放緩，明年上半年價格若有效止跌，看好明年全年營運可望如倒喫甘蔗逐季回溫。

第三季DRAM合約均價跌幅約達15％左右，其中標准型8GB DDR4模組合約均價季減14.15％達24.87美元，伺服器32GB DDR4模組合約均價季減14.07％達116美元。利基型DRAM的4Gb DDR4及2Gb DDR3第三季合約均價較上季下滑15％～17％之間，第四季恐全面跌破2美元整數價位。

第三季NAND Flash合約價較上季下跌約7％～8％，其中128Gb MLC NAND合約均價季減7.58％達4.40美元，64Gb MLC NAND合約均價季減6.99％達3.17美元。主要應用在工控領域的4Gb及8Gb SLC NAND第三季合約均價普遍較上季下跌8％左右。

集邦日前預期在高通膨影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，終端买方因需求明顯下滑而延緩採購，導致供應商庫存壓力進一步升高。DRAM供應商爲求增加市佔的策略不變，導致第四季DRAM價格續跌13～18％。至於各類NAND Flash終端產品需求仍然疲弱，原廠庫存急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。

面對記憶體價格急跌，業者已計劃減產因應，其中，美光在日前法人說明會中指出，第四季會开始放慢生產速度來縮減位元供給量，並決定降低2023年會計年度資本支出達30％，晶圓設備採購支出會降低50％。至於鎧俠已宣布將減產30％，約影響全球產能約9％幅度。業者除了希望減產保價，也期望價格在明年第一季提前觸底。

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標題：SK海力士大砍資本支出，傳高達八成

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