2023趨勢預測 | 特斯拉Model3搭載SiC,寬禁帶半導體迎來爆發
1年前


“寬禁帶半導體進入爆發“前夕”。

作者:飛飛 |

編輯:唐詩 |


去年11月底,特斯拉Model 3新款开售,其產品設計和功能變化都引起了外界關注。


在特斯拉Model 3車型中,SiC得到量產應用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載SiC芯片的智能電動汽車,可提高續航裏程,對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸,乃至整個新能源汽車行業都有重要意義。


目前,業內普遍認爲以SiC爲代表的寬禁帶半導體將成爲下一代半導體主要材料,那么寬禁帶半導體當前發展狀況如何?國內外發展寬禁帶半導體有哪些區別?未來發展面臨着哪些挑战?


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特斯拉Model 3首批搭載SiC


對於全球汽車廠商來說,特斯拉的每次動作,都會引起高度關注,特斯拉Model 3搭載了 SiC芯片,成爲全球首批在量產中使用SiC芯片的汽車制造商之一。基於Model 3在市場上的成功,以及SiC在續航裏程等方面的優勢,SiC一經亮相,迅速成爲全球芯片廠商和汽車廠商的關注焦點。


德國芯片制造商英飛凌推出用於電動汽車逆變器的SiC模塊,緊接着,現代汽車宣布要在旗下電動汽車中使用SiC芯片,並且明確表示,使用SiC芯片的電動汽車續航裏程將提高5%,這又爲SiC作了正面宣傳。


事實上,SiC芯片的確具有常規半導體難以比擬的優勢,從SiC發展的歷程中也不難看出,SiC也是目前研究相對更成熟的材料


此前,硅(Si)和鍺(Ge)作爲半導體產業的主流,在集成電路、航空航天、新能源和光伏等產業中應用廣泛。隨着高端制造、大功率發光電子器件日益發展,對頻率、效率和噪聲等要求越來越高,第二代半導體砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)應運而生。


但到目前,人類在5G通信、智慧電網、宇航衛星、新能源汽車等前沿領域不斷突破,體積更小、性能更優、效率更高的芯片材料成爲產業進步的剛需,市場需求倒逼芯片材料不斷革新


在這種情況下,SiC碳化硅和GaN氮化鎵作爲第三代化合物半導體材料,正式進入人們視野。如前文現代汽車公开所述,SiC材料更加耐高溫、耐腐蝕,這種優勢有助於提升功率、減少散熱,對提升新能源汽車續航的確有重要意義。


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國際巨頭未完成壟斷,國內有條件追趕


目前來看,對第三代半導體材料SiC和GaN的研究相對成熟,和前兩代半導體材料相比,SiC在禁帶寬度等方面有明顯優勢,也更耐高溫、更抗輻射,在大功率、高溫、高輻射應用場景中尤其適用GaN材料則更耐壓、更耐熱、更耐腐蝕,在發光器件中比較適用。基於性能上的明顯優勢,國內外相關企業都在積極發展寬禁帶半導體材料。


放眼全球,目前,寬禁帶半導體技術和產業依然由國外企業所主導,但國際巨頭還未形成行業標准,在規模上也未形成完全壟斷。同時,我國內需市場龐大,在市場和應用上有明顯優勢,產業鏈條也日益完善。


在國際市場上,寬禁帶半導體材料已經進入產業化快速發展階段,在新能源汽車、5G通信、光伏、消費電子等領域應用廣泛,代表性企業有Wolfspeed、onsemi、ROHM等,比如Wolfspeed,是全球最大的SiC襯底制造商,其主營業務是專門研究SiC材料,專注於第三代化合物半導體。


相比於國際市場,國內企業在整體技術研發和市場應用上有所落後,但近年來技術水平不斷提升,部分技術已經達到國際先進水平,比如在寬禁帶半導體微波射頻芯片技術上就擁有明顯優勢


此外,半導體照明技術的產業化應用也相對更成熟,2022年初我國寬禁帶半導體產業的總產值接近8000億元,其中大部分產值就來自於半導體照明。


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產業前景廣闊,降本成爲關鍵


寬禁帶半導體快速崛起,已經成爲全球半導體和相關產業競爭的焦點,我國內需市場規模龐大,並且又是以市場應用爲驅動的發展模式,長期來看,我國寬禁帶半導體在產業化上有諸多優勢。


再者,和集成電路產業相比,寬禁帶半導體產業對工藝技術、設計流程和精密程度的要求相對較低,因此企業進入的門檻不高,這也爲國內企業成長提供了可能。


資本也看到了寬禁帶半導體產業的巨大前景,也在加速推進寬禁帶半導體產業發展,2021年,即使在疫情的背景下,仍有超過60家企業完成融資,這說明寬禁帶半導體也被資本高度看好。


當然,看到行業發展的前景,也不應忽視面臨的挑战。目前,寬禁帶半導體使用領域主要集中在射頻器件、大功率電力電子器件、光電器件上,應用領域仍有待拓展。此外,我國雖然已經實現了研發和生產相關產品,但產品迭代速度較慢,在應用端評價體系也相對缺乏。


長期來看,成本依然是決定寬禁帶半導體產業化的重要因素,隨着成本不斷降低,產業化也將迎來加速。


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延伸閱讀


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亞太區碳化硅晶片生產制造先行者,專業從事第三代半導體碳化硅晶片的研發、生產和銷售。


SiC:SiC晶片、SiC晶體等。


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2.瀚天天成電子科技


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碳化硅半導體外延晶片:6、4、3英寸碳化硅外延晶片,應用於600V~6500V碳化硅電力電子功率器件。


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