中芯採用FinFET可以做到14nm,英特爾當年是在20nm基礎上就採用FinF
1年前
中芯採用FinFET可以做到14nm,英特爾當年是在20nm基礎上就採用FinF
$中芯國際(SH688981)$ 中芯採用FinFET可以做到14nm,英特爾當年是在20nm基礎上就採用FinFET,三星,台積電是在16、14nm的時候使用FinFET技術。這個時候的納米就不是物理寬度了,而是按摩爾定律起命的,比如22nm的時候,1平方只能裝下100個晶體管。根據摩爾定律,22nm下一個節點應該是14nm/16nm.而且1平方應該能裝下200個晶體管。所以,不管我的fin是多寬,只要我滿足這個條件,就能叫它是14nm工藝。
對比一下。如圖根據切片結果,無論是看gate length,還是fin pitch,metal pitch等參數,在相同制程下,intel要比三星,台積電要小。所以現在很多人說,intel的14nm就是台積電三星的10nm,intel的10nm就是台積電三星的7nm。
前面傳中芯要停止28nm產能擴建,改爲更先進的制程。猜想:如果是真的那么應該是FinFET工藝或N+1/2技術有所突破。不管怎么都是好預期
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