三星電子公司的芯片代工業務正在增加產能和更先進的制造技術，旨在超越市場領導者台積電。

6月28日消息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇上公布的最新工藝技術路线圖，該公司計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，2027年推出1.4納米級的SF1.4工藝。與此同時，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。

三星的SF2工藝是在今年早些時候推出的第三代3納米級（SF3）工藝的基礎上進一步優化的。與SF3相比，SF2工藝可以在相同的頻率和復雜度下提高25%的功耗效率，在相同的功耗和復雜度下提高12%的性能，在相同的性能和復雜度下減少5%的面積。爲了讓SF2工藝更具競爭力，三星還將爲該工藝提供一系列先進的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。

繼SF2之後，三星將在2026年推出針對高性能計算（HPC）優化的SF2P，以及於2027年推出針對汽車應用優化的SF2A工藝。同樣在2027年，該公司還計劃开始使用SF1.4（1.4 納米級）制造工藝進行量產。三星的2納米級工藝將與台積電的N2（2 納米級）工藝大致同步，比英特爾的20A工藝晚一年左右。

此外，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其5納米射頻工藝技術將於2025年上半年准備就緒，與舊版14納米射頻工藝相比，三星的5納米射頻預計可以提高40%的功耗效率，提高約50%的晶體管密度。三星還將於2025年开始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、數據中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力於擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的制造能力。三星計劃於2023年下半年在其平澤3號生產线（P3）开始量產芯片。泰勒市新建廠房預計將於今年年底完工，並於2024年下半年开始運營。三星目前的計劃是到2027年將其潔淨室容量比2021年增加7.3倍。

文章源自互聯網，不作任何商業用途，如有侵權，請聯系刪除。內容僅供閱讀，不構成投資建議，請謹慎對待。投資者據此操作，風險自擔。

本文作者可以追加內容哦 !