雷遞網 樂天 7月1日

安徽長飛先進半導體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權融資，新增投資方包括光谷金控、富浙、中平資本、中建材新材料產業基金、中金資本旗下基金（中金上汽、中金瑞爲、中金知行、中金啓合）、海通並購基金、國元金控集團旗下基金（國元股權、國元基金、國元創新）、魯信創投、東風資產、建信信托、十月資本、華安嘉業、中互智雲、寶樾啓承、雲岫資本等。

在新投資人及老股東的鼎力支持下，長飛先進稱，將錨定公司战略持續加強產品研發、提升制造工藝、擴充產能規模、強化客戶开發、優化人才團隊，不斷夯實行業地位。

據介紹，長飛先進專注於碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。

長飛先進現已啓動位於“武漢·中國光谷”的第二基地建設，項目一期投資規模超60億元，項目總投資預計超過200億元。

項目一期將於2025年建設完成，屆時將成爲國內碳化硅產能最大(年產36萬片碳化硅晶圓)、封裝產线齊全、以及包含外延生長和前沿創新中心的一體化新高地。

長飛光纖總裁莊丹稱，長飛先進是長飛光纖在第三代半導體領域深度布局的重要舉措，也是長飛光纖近年來實施多元化战略及战略轉型的代表體現。“我們始終堅定不移地看好長飛先進發展，並在此輪融資中進一步重倉加碼支持，我們未來將一如既往地竭盡所能，傾力注入技術、人才、資金、客戶等战略資源，助力其成爲國際領先的第三代半導體制造企業。”

光谷金控董事長秦軍說，“長飛先進是國內領先的第三代半導體功率器件制造廠商，我們認可公司的發展規劃與战略目標，其武漢基地項目對於打造光谷碳化硅芯片制造龍頭，完善化合物半導體產業鏈具有重要意義。”

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