HBM、DDR5明年營收還要翻倍？SK海力士“翻身仗”押注AI

原創

半導體芯片

2023-07-21 15:07 星期五

科創板日報 鄭遠方

由於AI需求激增，HBM價格是現有DRAM產品的5-6倍，DDR5價格也比DDR4高出15%到20%；
公司將HBM4的生產目標時間定在了2026年，並計劃在其中採用先進封裝技術“混合鍵合”。

《科創板日報》7月21日訊（編輯 鄭遠方）隨着各路資本持續加注人工智能，卡住“存力”環節的存儲芯片公司再次站到了聚光燈下。不過，在這場盛宴之中，並不是所有人都有資格受到邀請，手握門票、率先入場的SK海力士更是尤其明白這個道理。

這張門票正是當下供不應求的HBM。

由於人工智能需求激增，HBM和DDR5的價格和需求都在增長。HBM的價格是現有DRAM產品的5-6倍；DDR5的價格也比DDR4高出15%到20%。

另據BusinessKorea援引業內人士消息透露，在最近一次非公开企業說明會上，SK海力士預計，2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。

雖然目前HBM在SK海力士的營收佔比不及1%，但今年這一比例便有望上升至10%。而SK海力士今年上半年預計虧損超過6萬億韓元，如今或許意在憑借高附加值內存實現反彈。

公司副總裁Park Myoung-soo對整個市場前景頗爲樂觀。他預計，AI服務器內存（包括HBM、DDR4和DDR5）在整個服務器內存市場的份額將從今年的17%增加到5年後的38%，未來5年人工智能服務器效應帶來的新增DRAM需求將累計達到400億GB。SK海力士目標2026年生產HBM4。

另外，SK海力士還透露了未來產品的具體路线圖。

公司已明確明年上半年生產HBM3E，並將HBM4的生產目標時間定在了2026年。SK海力士計劃在HBM4中採用先進封裝技術“混合鍵合（hybrid bonding）”，與現有的“非導電膜（non - conductive film）”相比，混合鍵合提高了散熱效率、減少了布线長度、提高了輸入/輸出密度，還能將HBM層數限制由12層提升至16層。

在此之前，SK海力士已着手擴建HBM產线，目標將HBM產能翻倍。擴產焦點在於HBM3，SK海力士正在准備投資後段工藝設備，將擴建封裝HBM3的利川工廠。預計到今年年末，後段工藝設備規模將增加近一倍。

而半導體行業中，圍繞高附加值DRAM的競爭將日趨激烈。

另一存儲芯片巨頭三星也計劃投資1萬億韓元（約合7.6億美元）擴產HBM，目標明年底之前將HBM產能提高一倍，公司已下達主要設備訂單。韓媒還指出，從第四季度开始，三星將向英偉達供應HBM3，目前後者的HBM由SK海力士獨供。

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