中信證券:部分產品初現漲勢 看好23H2存儲板塊復蘇機遇
1年前

中信證券發布研究報告稱,原廠單季度營收低谷已過,部分高端存儲價格已現漲勢,預計23H2供需關系持續改善,部分產品價格有望回暖。綜合主要海外存儲大廠給出的CY23H2指引,隨海外大廠稼動控制,存儲供需改善,行業庫存持續去化,主流存儲價格下半年有望持續回暖,看好產業鏈公司23H2業績底部復蘇;隨AI服務器市場高速增長,有望驅動HBM出貨量及佔比快速提升,看好國內進行HBM前瞻布局的相關產業鏈公司。建議關注:1)存儲模組;2)存儲芯片設計;3)存儲配套芯片。

中信證券主要觀點如下:

存儲器價格情況:

DRAM方面:7月高端產品價格已現漲勢,環比-8.33%~+10.10%,本輪高點21年6月至23年7月累計跌幅爲69%~83%。

高端DRAM(DDR5)價格有所上漲,7月漲幅0%~10.10%,主流DRAM(DDR4)價格仍下跌,7月跌幅在1.02%~7.92%,較6月有所擴大(6月跌幅1.37%~3.81%),利基DRAM(DDR3)價格跌幅在3.96%~8.33%(6月跌幅0.98%~7.69%),目前價格處於周期底部。

雖然供應商減產不及需求走弱速度,但相較23Q1,部分產品23Q2均價季跌幅有收縮趨勢,根據TrendForce,23Q2 DRAM跌幅收縮至13%-18%,其中,PC及Server DRAM跌幅爲15%-20%;Mobile DRAM跌幅爲13%-18%。TrendForce預計,受DRAM廠商陸續減產影響,整體DRAM供給逐季減少,加上季節性需求支撐減輕供應商庫存壓力,23Q3跌幅將進一步收縮至0%-5%,同時LPDDR5產品價格有望上漲0~5%。

NAND Flash方面:7月價格止跌回升,環比0.00%~+1.42%(512GB大容量首次環比上漲),本輪高點21年7月至23年6月累計跌幅爲47%~71%。

23H2旺季備貨周期將至,盡管今年需求低迷導致終端出貨持續下修,市場仍認爲23H2終端出貨量會優於23H1,採購量有機會逐季增加;由於多數供應商已开始減產,庫存壓力有望在Q3下降,三星等原廠報價態度強勢,Q3合約價有較大機率觸底反彈,並刺激买方採購意愿,加速供需平衡。TrendForce預計23Q3起NAND Flash Wafer均價環比漲幅0%-5%,Q4漲幅將進一步擴大至8%~13%。

存儲模組方面:今年2月开始價格下跌幅度收窄,7月價格基本穩定,本輪高點22年3月至23年7月累計跌幅爲45%~64%。

據CFM閃存市場,截至6月27日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)價格由約17美金降至不足14美金,降幅約19%,OEM SSD(512GB SATA)由約26.5美金降至19.5美金,降幅約26%。11月下旬以來降幅有所收窄,模組廠商產品單價有望於23H2企穩回暖,隨下遊需求復蘇而獲得銷量彈性,同時上遊晶圓成本處於底部,有利於模組環節盈利水平修復。

交期及價格預測:貨期趨勢整體縮短,存儲器模塊交期仍維持穩定,跌價已近尾聲。

根據TrendForce,23Q2 NAND Flash價格跌幅爲10~15%,預計23Q3價格跌幅收縮至3~8%,供需錯配下仍壓制NAND Flash價格止跌回穩;NAND Flash Wafer均價預估將率先上漲,SSD、eMMC、UFS等模組產品則因下遊客戶拉貨遲緩價格續跌,Q4 NAND整體均價有望止跌回升;

根據TrendForce,23Q2 DRAM價格跌幅收縮至13%~18%,受DRAM廠商陸續減產影響,整體DRAM供給逐季減少,加上季節性需求支撐減輕供應商庫存壓力,預計23Q3跌幅將進一步收縮至0%~5%。

廠商數據:

主流存儲器價格承壓,中國台灣存儲市場的重點公司如旺宏、華邦電、南亞科、力積電營收同比下降,旺宏和力積電環比上升,華邦電和南亞科環比下降。旺宏7月營收同比-39.48%,環比+1.95%;華邦電7月營收同比-14.56%,環比-9.64%;南亞科7月營收同比-44.56%,環比-0.85%;力積電7月營收同比-49.06%,環比+0.10%。

供給側與需求側近況更新:

供給端:爲應對下遊需求持續疲軟、行業供過於求,部分廠商調降投片量,同時下調2023年資本开支及產能提升預期。

據各公司業績發布會,美光FY2023資本支出降至70億美元,同比-40%以上,並將對DRAM和NAND進一步減產30%至2024年;SK海力士FY2023資本开支將同比削減超50%,並決定對NAND進一步減產5-10%;西部數據預計FY2024資本支出將大幅下降;三星平澤與西安廠擴大減產幅度;23H2大廠庫存消耗速度將加快,促使半導體整體產業狀況改善。量產、擴產方面,SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量產並供貨OPPO;

此外,SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品,計劃2025H1量產。從歷史周期看,資本开支增速與市場增速強相關性,隨着各大存儲廠商陸續下調2023年資本开支計劃並降低稼動率,預計23年行業供給增速將低於需求增速,供需將逐步達到平衡,有助於庫存修復,看好存儲板塊周期2023年下半年見底。

需求端:下遊廠商“降成本、去庫存”趨勢持續,看好需求逐步復蘇。

2022年需求疲軟下行業庫存持續攀升,各大終端廠商將把重心持續放在去庫存及降成本上,22Q4末華碩、聯想、浪潮庫存周轉天數相較22Q2末已有所好轉。但浪潮由於庫存原材料增長、提前備貨等原因,23Q1庫存周轉天數爲179天,有所增加。

目前終端廠商已處於去庫存的後期,全年出貨有望呈現前低後高。需求量來看,看好23H2至24年下遊需求回暖趨勢:1)服務器端,預計23Q3需求將有望實現環比增長,看好23H2 DDR5在服務器端需求提升,同時AI服務器DRAM和NAND的容量需求(content)是傳統的6~8x和3x;2)PC端,預計23年PC出貨同比下滑低兩位數(low-double digit);3)手機及智能終端,預計23年智能手機出貨同比下降中個位數(mid-single digit),年內前低後高,庫存逐季改善;4)汽車端穩健增長,預計23Q3工業市場出現初步復蘇跡象,行業庫存及需求有望在23H2持續改善。

海外廠商業績追蹤:從海外大廠業績看存儲行業復蘇。

海外存儲大廠均已發布CY23Q2業績:美光實現營收37.5億美元(-57% YoY,+2% QoQ);三星電子DS板塊下存儲業務實現營收8.97萬億韓元(-57% YoY,+1% QoQ);SK海力士實現營收7.31萬億韓元(-47% YoY,+44% QoQ);西部數據Flash業務實現營收13.77億美元(-43% YoY,+5% QoQ)。美光、三星電子(存儲業務)、SK海力士、西部數據(Flash業務)Q2營收均實現環比增長,存儲板塊營收低谷已過。

風險因素:

下遊需求復蘇不及預期;芯片價格持續下跌;行業競爭加劇;新技術研發進展緩慢;國際地緣政治衝突等。

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