華泰證券發布研究報告稱，SiC和GaN作爲新型功率半導體材料，已進入快速發展階段。2018年特斯拉的功率器件應用加速了SiC應用於新能源車的進程。SiC相較GaN有三年的商業化領先，全球市場由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司壟斷。在小米推出手機快充後，GaN產業規模迅速擴大，產業龍頭有住友化學、英飛凌、三安光電等。

華泰證券主要觀點如下：

SiC商業化進程領先GaN三年，預計2026年投資擴產或轉向GaN

SiC和GaN作爲新型功率半導體材料，已進入快速發展階段。2018年特斯拉的功率器件應用加速了SiC應用於新能源車的進程。SiC相較GaN有三年的商業化領先，全球市場由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司壟斷。在小米推出手機快充後，GaN產業規模迅速擴大，產業龍頭有住友化學、英飛凌、三安光電等。

GaN相較SiC長晶速度快、成本更低，GaN可以利用現有的硅(Si)工藝和設備，在普通的硅襯底上生長。而SiC則需要採用高純度的SiC襯底，大幅提高了材料成本。GaN未來的增長動能取決於能否在工業、汽車領域應用，但GaN上車仍處於送樣測試階段，車規級器件放量預計會在2028年左右。

展望未來，SiC和GaN或將形成各自的市場格局，預計2026年隨着SiC產能飽和，大型公司可能將目光轉向GaN領域投資擴產。

SiC領域M&A活躍，Coherent通過合資子公司提前鎖定日本市場

在SiC領域，融資並購活動主要是公司爲了掌握核心技術提升良率，從而實現規模效應來降本增效，或是爲了鎖定產能確保襯底供應的穩定性。2008年羅姆公司收購SiCrystal，2019年意法半導體收購Norstel，以及2021年安森美收購了GT Advanced，在後續業務實踐中都實現了雙贏。2022年II-VI收購Coherent後，新公司命名爲Coherent，並加速SiC業務布局。

今年10月11日，三菱電機和Denso分別投資5億美元在Coherent 子公司Silicon Carbide LLC各佔股12.5%，籤署6英寸和8英寸SiC晶圓的長期供應協議，提前鎖定日本市場。

國內SiC龍頭在質量和工藝取得突破，降本增效取決於多方面因素

國內SiC襯底龍頭在質量方面實現較大突破，但在工藝上仍有差距。1)技術來源：國內60余家SiC襯底企業，主要的技術和人才來源於天科合達和天岳先進;2)質量：國內SiC襯底質量能與國外巨頭相媲美，具備競爭力;

3)工藝：海外內龍頭企業在長晶速度上距離也縮小;4)長晶設備：國內PVT設備國產率高，性價比較高;5)能源：由於長晶爐內溫度高達2400攝氏度，能耗大。而國內太陽能、風電水電充足，有潛在降本可能性;6)技術人才：國外龍頭企業的技術團隊更加穩定。

長晶技術爲大尺寸SiC襯底研發核心挑战，激光切割或爲下一代技術主流

國內晶圓尺寸在從4到6英寸過渡，6英寸去年开始大規模量產，8英寸全球只有Wolfspeed在紐約的莫霍克谷工廠有小批量試產，良率爲公司核心機密未披露。8英寸晶圓性價比較低，面積約爲6英寸晶圓的1.8倍，但價格高達2000美元爲6英寸片價格的2.5倍。

長晶技術是研發8英寸SiC襯底的核心挑战，由於長晶過程類似“黑匣子”，在高成品率和拉晶長度之間取合適平衡需要大量的工藝經驗積累，還需要對材料、坩堝、熱場、SiC粉末等不斷進行優化和升級。後續切磨拋過程中，8英寸由於其更大尺寸，在切割過程中出現的應力、翹曲等問題亟需技術迭代，激光切割技術或爲下一代主流方案。

風險提示：

SiC長晶技術研發不達預期、SiC器件降本不達預期、價格競爭愈演愈烈等。

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