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佳能正在推進一項在日本建造新工廠的計劃,以將其半導體光刻設備的產量提高一倍。
計劃中的工廠將生產構成該部門大部分銷售額的標准 KrF 和 i-line 機器,以及佳能希望开啓半導體制造新紀元的納米壓印工具。
佳能管理層在 10 月底公布第三季度業績後向投資者發表講話時提到了“我們領先的納米壓印光刻設備”。
事實上,佳能的光刻設備在納米壓印領域處於領先地位。但這是否像某些人所說的那樣,對 ASML 在極紫外 (EUV) 光刻設備上的壟斷構成威脅?
佳能的新工廠將建在東京北部的宇都宮,估計成本超過 500 億日元(3.57 億美元),包括設備。運營計劃於 2025 年开始,據報道,屆時鎧俠計劃开始在其 NAND 閃存的大規模生產中使用納米壓印光刻技術。
Kioxia 以前是 Toshiba 的一個部門,現在是其附屬公司,與 Western Digital 合資生產 NAND 閃存芯片。它是僅次於三星電子的第二大生產商,擁有全球約 30% 的市場份額。NAND閃存芯片用於在固態硬盤、USB閃存盤、SD卡、數碼相機和手機中存儲信息。
東芝/鎧俠、佳能和光掩模制造商大日本印刷多年來一直致力於納米壓印技術。佳能於 2014 年通過收購德克薩斯大學奧斯汀分校的分拆公司 Molecular Imprints 進入納米壓印業務。
該公司現在更名爲 Canon Nanotechnologies,已獲得 170 多項專利,涵蓋壓印工具、材料、掩模、工藝技術和壓印專用設備設計。
其他納米技術光刻設備生產商包括 Electronic Visions Group (EVG)、SUSS MicroTec 和 Obducat,它們都是歐洲公司。
大日本印刷於2015年建立了納米壓印模板的商業生產系統。東芝宣布計劃在2016年使用該技術制造NAND閃存。
佳能最初希望在 2019 年开始量產,但這個超快的時間表被證明是不現實的。Nanoimprint 設備已安裝在 Kioxia 的四日市 NAND 制造基地,但尚未用於大規模生產。
與來自掃描儀的光通過光掩模將電路圖案轉移到塗有光敏抗蝕劑的硅片的光刻相比,納米壓印光刻是一種微型模具和衝壓工藝。
然而,據報道,在覆蓋、量和缺陷方面仍然存在問題,包括過程中固有的物理接觸產生的顆粒。
理論上,納米壓印光刻可以降低 90% 的功耗,降低 40% 的總處理成本,並且設備價格僅爲 ASML 的 EUV 掃描儀的一小部分。實際上,尚不清楚它何時會成爲鎧俠 NAND 閃存生產過程中不可或缺的一部分。
納米壓印光刻技術並不新鮮。它是由日本研究員 Susumu Fujimori 發明的,他於 1979 年在日本電報電話公社工作時爲他的 UV 納米壓印光刻工藝申請了專利。
在 20 世紀 90 年代中期,明尼蘇達大學電氣工程系納米結構實驗室的 Stephen Chou、Peter Krauss 和 Preston Renstrom 在美國引起了人們的注意。Molecular Imprints 成立於 2001 年。大日本印刷於 2003 年开始研究這項技術。
佳能納米技術的美國起源可能會使佳能制造的納米壓印光刻技術受到美國政府對中國出口的限制——就像使用來自聖地亞哥的 Cymer 的光源允許美國禁止銷售總部位於荷蘭的 ASML 的 EUV 光刻技術一樣爲中國客戶提供設備。
另一方面,佳能的 KrF 和 i-line 光刻設備是上一代產品,對生產尖端半導體來說不是必不可少的,因此不受美國制裁。
它是佳能的搖錢樹,有助於中國提高原本需要進口的不太復雜的半導體設備的生產。當佳能的新工廠投產時,其大部分產品可能會運往中國。
與此同時,日本另一家大型 IC 光掩模生產商 Toppan Printing 已與 EVG 合作,推廣納米壓印光刻技術作爲光電子行業的大批量制造技術。
這並非偶然:Toppan 和 Dai Nippon Printing 是競爭對手,用於生產光掩模和納米壓印模板的工藝和材料相似。
潛在產品包括波導、超透鏡(蝕刻在硅上的平面透鏡)和其他光學元件。應用包括虛擬現實耳機、智能手機和車輛傳感器以及醫學成像。
EVG 是用於制造微機電系統 (MEMS)、化合物和功率半導體、光學元件和其他納米級設備的設備供應商。
其產品包括光刻、鍵合、薄晶圓加工、光刻膠塗層、清潔、計量和檢測系統。它於 2015 年开始大規模生產納米壓印光刻系統。總部位於奧地利,在美國、日本、韓國、中國大陸和台灣設有子公司。
9 月,EVG 和 Toppan 宣布計劃銷售納米壓印光刻开發套件,該套件將 Toppan 的模板與 EVG 的設備和工藝开發服務相結合。
兩家公司都將納米壓印光刻技術視爲光刻技術的一種經過驗證的、具有成本效益的替代方法。他們的客戶將很快就是否是這種情況提供反饋。
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標題:佳能卷土重來,叫板ASML的EUV光刻
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