據國外媒消息，$英特爾(NASDAQINTC)$副總裁兼技術开發負責人Ann Kelleher近日表示，英特爾公司正在實現重新獲得半導體制造領導地位這一目標。

Kelleher表示：“英特爾按季度制定的裏程碑顯示，我們處於領先地位或步入正軌。”她說，英特爾目前正在量產7nm芯片，另外已准備好开始制造4nm芯片，並將准備在明年下半年轉向3nm。

誰能坐穩後摩爾時代工藝制程王座？

英特爾CEO基辛格曾表示要重回生產技術的領導地位，“重回領導地位”的前提條件是，英特爾曾經長期處於領導地位。以及此處我們所談及的生產技術，具體是指半導體尖端制造工藝。

回溯英特爾早期工藝，在14nm之前，英特爾始終推動着業界的主要制程工藝創新，並始終保持着比別家fab和foundry廠領先幾年的技術水平。比如在90nm時代，英特爾針對應力增強引入eSiGe(嵌入硅鍺)，爲業界首位；2005年英特爾首度採用HKMG(high-k metal gate，高介電常數金屬柵)，比別家提前了5年以上；2011年英特爾22nm工藝首次引入FinFET結構晶體管......

在14nm以後，英特爾遭遇技術瓶頸，首先是原本計劃的Fab 14工廠升級工藝被取消，而後10nm屢屢受挫，7nm變得遙遙無期。直至今年，英特爾在IEEE VLSI會議上公开了自己首個7nm工藝。

在英特爾先進工藝陷入停擺的這段時間，台積電和三星一路高歌猛進，台積電自7nm工藝後則穩坐先進節點王座。

2018年N7(7nm)工藝問世可作爲台積電超過英特爾的拐點，也是這時，AMD Zen 2架構CPU开始採用台積電7nm工藝，並在最終出售的CPU產品上，首次實現對英特爾處理器的部分超越。此後台積電迅速在2020年推出6nm和5nm，並宣布在今年4季度量產3nm，以及計劃於2024年下半年進入風險性試產的2nm節點。

向上追趕是常態，英特爾計劃2030年超越三星代工業務，而三星也揚言2030年要超越台積電。今年7月，三星宣布量產3nm制程，並將率先採用GAA技術還計劃2023年推出第二代3nm制程，並更進一步計劃到2025年發展達到2nm制程，到2027年達到1.4nm制程。業界人士表示，三星的計劃表還是有可能實現的，其目前的關鍵問題還在於產品良率。

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，在今年第二季前十大晶圓代工產值中，台積電第二季營收爲181.5億美元，5/4nm營收季增約11.1%，是第二季營收表現最佳的制程節點，7/6nm制程節點營收季增2.8%。三星方面，7/6nm產能陸續轉換至5/4nm制程，良率持續改善，帶動第二季營收達55.9億美元，季增4.9%。同時，首個採用GAA架構的3GAE制程於今年第二季底正式量產，首波客戶爲挖礦公司PanSemi。

當下，跌出神壇的英特爾計劃通過在產業、人才、技術等各個方面的布局重回巔峰，聚焦在尖端制造工藝方面，英特爾的計劃是4年要推進從Intel 7到Inetl 18A的5個主要工藝節點。

Intel 7已經在2021年量產，英特爾計劃將於今年下半年量產(或做好量產准備)Intel 4（相當於7nm）；在明年下半年量產(或做好量產准備)Intel 3；2024年上半年量產(或做好量產准備)Intel 20A;以及2024年下半年量產(或做好量產准備)Intel 18A。

業界人士表示，英特爾4年跨5個節點計劃雖然有些誇張，但是值得注意的是，英特爾已經在一些方面充分吸取了此前的教訓，並做了一些技術方面的更改。

早年英特爾嚴格地遵循着“摩爾定律”，畢竟摩爾定律就是英特爾的Gordan Moore提出的，在此期間，英特爾十分執着晶體管密度的闕值。公开資料顯示，從英特爾公布的邏輯晶體管密度進化方向看22nm→14nm，英特爾達成了2.5倍晶體管密度提升；而14nm→10nm，英特爾的目標是2.7倍的晶體管密度提升。英特爾當年稱其爲Hyper Scaling超級縮放。這些值可謂是非常的客觀的，畢竟台積電N7→N5 1.9x密度提升，N5→N3 1.6x密度提升已經是業界領先了。

同樣的，業界有許多人士認爲，英特爾10nm、7nm工藝難產的關鍵，就在英特爾對於晶體管密度的偏執上。英特爾在2021年對其工藝節點進行了改名操作，並推出了4年更新5代節點的設想，實際上都是對過去偏執於晶體管密度提升這一傳統的拋棄。

從台積電、三星、英特爾的先進節點計劃看，如果大家的工藝進程都按時推進的話，三家可能會在2024或2025年兩年裏推出的2nm工藝上正面交鋒，屆時又將發生什么樣的變數呢？我們拭目以待！

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