安森美斥巨資擴產SiC,目標拿下40%的市場
1年前

來源:內容由半導體行業觀察編譯自CNA,謝謝。


安森美半導體公司高管周二表示,該公司正在考慮投資 20 億美元用於提高廣泛用於幫助擴大電動汽車續航裏程的碳化硅芯片的生產。公司高管在分析師介紹中表示,公司正在考慮在美國、捷克共和國或韓國進行擴張。該公司已經在這些國家/地區中的每一個國家/地區設有工廠。


ON Semiconductor 是汽車行業的長期供應商,既供應用於電動汽車傳動系統的芯片,也供應廣泛的其他芯片,如有助於駕駛輔助系統的攝像頭和傳感器。該公司一半以上的芯片都在內部生產,並投資了一條完整的節能碳化硅芯片供應鏈,在內部生產原材料和成品芯片。

安森美半導體首席執行官 Hassane El-Khoury 在接受採訪時表示,該公司的碳化硅芯片生產目前集中在其位於韓國富川市的一家工廠。該公司計劃尋找“端到端”生產方式,這意味着無論選擇哪個地點,都可以將原始碳化硅粉末轉化爲芯片。

El-Khoury 表示,在多個地方復制整個生產過程已成爲汽車制造商的一個重要賣點,他們從 2021 年开始仍持謹慎態度,當時芯片重鎮德克薩斯州的凍結和亞洲芯片供應商的短缺導致汽車生產停產线。

“擁有一個地理分布的供應鏈總是好的,”El-Khoury 說。

在周四的金融分析師日上,高管們表示,他們的目標是到 2027 年佔據碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。該公司預測,該領域和其他領域的增長將幫助其收入以 10% 至 12% 的復合年增長率增長,銷售額從 2022 年的 83 億美元擴大到 2027 年的中值 139 億美元。

同期,安森美半導體預計自由現金流將從 2022 年的 16 億美元擴大到 2027 年的 35 億美元至 40 億美元。

下一步,溝槽式SiC

據報道,Onsemi 正在开發使用溝槽結構而不是平面結構的碳化硅 MOSFET,將於今年晚些時候推出,預計 2024 年會出樣。

該公司在捷克共和國布爾諾附近擁有 SiC 外延片工廠,並在韓國的一家晶圓廠進行設備制造。轉向溝槽結構允許在 150 毫米(6 英寸)晶圓上構建更多器件,從而降低器件成本。該公司還有一個用於 200 毫米(8 英寸)SiC 晶圓生產的工程計劃。

這是繼公司推出導通電阻更低的最新一代 1200 V EliteSiC M3S 器件之後做出的決定 . 這些產品針對 800 V 電動汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 和能源基礎設施應用,例如 EV 充電、太陽能和儲能系統。

EliteSiC M3S 器件還用於採用標准 F2 封裝的低 Rds(on) 半橋功率集成模塊 (PIM)。這些模塊針對工業應用,非常適合 DC-AC、AC-DC 和 DC-DC 大功率轉換級。它們通過優化的直接鍵合銅設計提供更高級別的集成,以實現並聯开關之間的平衡電流共享和熱分布。PIM 旨在爲能源基礎設施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源 (UPS) 提供高功率密度。

“onsemi 最新一代的汽車和工業 EliteSiC M3S 產品將使設計人員能夠減少他們的應用足跡和系統冷卻要求,”onsemi 高級副總裁兼高級電源部門總經理 Asif Jakwani 說。“這有助於設計人員开發具有更高效率和更高功率密度的大功率轉換器。”

符合汽車標准的 1200 V EliteSiC MOSFET 專爲高達 22 kW 的大功率 OBC 和高壓至低壓 DC-DC 轉換器量身定制。M3S 技術專爲高速开關應用而开發,具有 XXX 的开關損耗品質因數。


*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯系半導體行業觀察。


追加內容

本文作者可以追加內容哦 !

鄭重聲明:本文版權歸原作者所有,轉載文章僅為傳播信息之目的,不構成任何投資建議,如有侵權行為,請第一時間聯絡我們修改或刪除,多謝。



標題:安森美斥巨資擴產SiC,目標拿下40%的市場

地址:https://www.breakthing.com/post/58843.html