最近，氮化鎵外延領域也傳來2個好消息：

晶湛半導體：融資數億元建設的總部大樓正式封頂，號稱將打造國內最大GaN外延片的生產基地；

宏光半導體：已經开始生產6英寸GaN功率器件外延片，預計明年Q2开始芯片試產。

報道稱，晶湛半導體總部大樓於2021年12月开工建設，廠房佔地面積約爲1.1萬平方米，總建築面積約2.3萬平方米。

今年3月，晶湛半導體還融資數億元，資金用於建設公司總部和研發中心。近兩年，晶湛半導體也在持續擴產，合計產能將高達25萬片。

2021年12月，晶湛半導體擬投資2.8億元擴建氮化鎵外延片生產項目，計劃生產6英寸和8英寸氮化鎵外延片，年產能預計達24萬片，目前該項目已於2021年11月开工建設，預計2023年2月完成建築施工。

2022年4月，晶湛半導體氮化鎵外延片年產新增10000片環評進行第一次公示。根據公告，晶湛半導體計劃擴建氮化鎵外延片，預計投產後將年新增氮化鎵外延片1萬片。

公开資料顯示，2014年，晶湛在全球首次發布商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片產品；2021年6月，研發出擊穿電壓超過10kV的GaN器件；2021年9月，成功全球首發12英寸、1200V的硅基GaN外延片。

據了解，宏光半導體主要於中國從事設計、开發、制造、分包服務及銷售半導體產品，包括發光二極管（LED）燈珠、GaN芯片、GaN器件及其相關應用產品以及快速電池充電產品。 今年9月，宏光半導體與具有“新能源之王”等稱呼的協鑫科技創辦人朱共山正式籤訂股份及認股權證認購協議，這標志着朱共山成爲宏光半導體主要战略股東。同時，他們還與協鑫集團正式籤訂了战略合作框架協議，擬於GaN功率芯片在新能源領域的應用开展密切合作，全速推進在GaN產業鏈上的布局（.點這裏.）。

插播：12月15日，行家說將在深圳舉辦“全球第三代半導體產業發展高峰論壇”，了解更多有關氮化鎵等前沿技術話題，

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