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MRDIMM（多列緩衝 DIMM）可能成爲緩衝 DIMM 中的標准 203x。此外，AMD（在新標籤頁中打开）已在 MemCon 2023 上承諾幫助推動 JEDEC 的 MRDIMM 开放標准，該標准將顯着提高標准 DDR5 DIMM 的帶寬。

隨着核心數量的不斷增加，爲處理器提供必要的內存帶寬一直是一場艱苦的鬥爭。這是 AMD 和英特爾在其主流處理器（例如Ryzen 7000和Raptor Lake）上轉向DDR5內存的原因之一。因此，您可以想象數據中心領域的挑战，AMD 的EPYC Genoa和英特爾的Sapphire Rapids Xeon芯片分別推高至 96 核和 60 核。 

當您將這些多核 EPYC 和 Xeon 怪物放入 2P 或有時是 4P 配置時，它會變得更加復雜。結果是一塊巨大的主板，內存插槽數量驚人。不幸的是，主板只能變得這么大，處理器不斷推出更多內核。存在現有的解決方案，例如獨特的接口，如 Compute Express Link (CXL) 或高帶寬內存 (HBM) 格式。MRDIMM 旨在成爲供應商的另一種選擇，以減輕與 DRAM 速度縮放相關的困難。

MRDIMM 的目標是將現有 DDR5 DIMM 的帶寬加倍。概念很簡單：組合兩個 DDR5 DIMM，爲主機提供兩倍的數據速率。此外，該設計允許同時訪問兩個級別。例如，您以 4,400 MT/s 的速度組合兩個 DDR5 DIMM，但輸出結果爲 8,800 MT/s。根據介紹，一個特殊的數據緩衝器或多路復用器組合來自每個列的傳輸，有效地將兩個 DDR（雙倍數據速率）轉換爲單個 QDR（四倍數據速率）。

第一代 MRDIMM 將提供高達 8,800 MT/s 的數據傳輸速率。之後，JEDEC 預計 MRDIMM 將逐漸提高，達到 12,800 MT/s，隨後達到 17,600 MT/s。然而，我們可能要到 2030 年之後才能看到第三代 MRDIMM，因此這是一個漫長的項目。

英特爾與SK hynix和 Renesas合作，基於與 MRDIMM 類似的概念开發了多路復用器組合列 (MCR) DIMM。根據退休工程師chiakokhua 的說法, AMD 正在准備一個名爲 HBDIMM 的類似提議。存在一些差異；但是，沒有公开資料可以用來比較 MCR DIMM 和 HBDIMM。

這家韓國 DRAM 制造商預計首批 MCR DIMM 的傳輸速率將超過 8,000 MT/s，因此它們的性能可與第一代 MRDIMM 產品相媲美。Intel 最近演示了一款帶有新 MCR DIMM 的Granite Rapids Xeon 芯片。雙插槽系統提供相當於 1.5 TB/s 的內存帶寬。有 12 個主頻爲 DDR5-8800 的 MCR DIMM。

MRDIMM 的路线圖很模糊，因爲它沒有顯示我們何時可以期待第一代 MRDIMM。然而，Granite Rapids 和與之競爭的 AMD EPYC Turin (Zen 5) 處理器將於 2024 年到貨。因此，預計 MCR DIMM 屆時可用是合理的，因爲 Granite Rapids 可以使用它們。盡管這還沒有得到任何官方證實，但考慮到 AMD 最近的承諾，都靈可以利用 MRDIMM 是有道理的。因此，MRDIMM 也有可能在 2024 年問世。

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