中信證券:存儲晶圓端漲價品類增加 部分已傳導至成品端
1年前

中信證券發布研究報告稱,國內廠商已發布2023年中報業績,整體來看23Q2基本面企穩或環比向好,23Q4環比改善預期相對明晰。國內廠商主要布局利基存儲設計或主流存儲模組環節,2023Q2大部分存儲廠商毛利率已至近年低位,庫存見頂,營收/出貨量出現環比增長,部分廠商Q2利潤端環比改善。

該行預計23H2隨庫存去化,需求逐步回歸,未來行業細分龍頭有望迎來業績修復機會,看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加國產化趨勢下的投資機遇。建議關注:1)存儲模組;2)存儲芯片設計;3)存儲配套芯片。

中信證券主要觀點如下:

存儲器價格情況:

DRAM方面:8月個別產品價格出現上漲,環比-6.12%~+6.45%,本輪高點21年6月至23年8月累計跌幅爲69%~83%。高端DRAM(服務器DDR5)合約價格穩定,主流DRAM(DDR4)價格跌幅收窄,個別產品價格出現上漲,8月漲跌幅-6.12%~+6.45%(7月漲跌幅-7.92%~-1.02%),利基DRAM(DDR3)價格跌幅在2.06%~4.55%(7月跌幅3.96%~8.33%),目前價格處於周期底部。TrendForce預計,受DRAM廠商陸續減產影響,供給逐季減少,加上季節性需求支撐減輕供應商庫存壓力,23Q3跌幅將進一步收縮至0%~5%,同時LPDDR5產品價格有望上漲0~5%。

NAND Flash方面:8月價格持續回升,環比0.00%~+7.09%(512GB大容量連續兩月環比上漲,128/256GB價格保持穩定),本輪高點21年8月至23年6月累計跌幅爲47%~69%。23H2旺季備貨周期將至,盡管今年需求低迷,如Client SSD與Enterprise SSD在下遊出貨量下滑預期下採購量下降,導致終端出貨預測持續下修,但在原廠持續減產及下遊需求復蘇預期下,市場仍認爲23H2終端出貨量會優於23H1,採購量有機會逐季增加。根據CFM閃存市場,7月初至9月14日,512Gb Wafer價格從1.41美元上漲至1.68美元,漲幅達20%;展望23H2,TrendForce預計23Q3 NAND Flash Wafer整體均價環比漲幅0%~5%,Q4漲幅將進一步擴大至 8%~13%。

存儲模組方面:今年2月开始價格下跌幅度收窄,8月SSD價格出現上漲,DDR4價格基本持平(9月1-2周小幅上漲),本輪高點22年3月至23年8月累計跌幅爲44.76%~60.63%。據CFM閃存市場,截至9月12日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)由約16.5美元下降至不足14美元,降幅約15%,OEM SSD(512GB SATA)由約25美元下降至19美元,降幅約24%。我們認爲模組廠商產品單價有望於23Q4开始回暖,隨下遊需求復蘇而獲得銷量彈性,同時上遊晶圓成本處於底部,有利於模組環節盈利水平修復。

價格傳導分析:NAND Wafer漲價行情已由合約價傳導至現貨價,8月末已自上而下由晶圓端傳導至模組端。5月起,美、韓系廠商大幅減產後,部分供應商已經开始調高wafer報價;由於多數供應商已开始減產,庫存壓力在Q3下降,三星等原廠報價態度強勢,Q3合約價已出現較大幅度反彈,並刺激买方採購意愿,加速供需平衡。8月末起,晶圓端漲價已开始傳導至模組端,根據CFM閃存市場,SSD、EMMC、UFS等模組產品中多數已出現不同幅度的上漲(單周價格漲幅約0~5%)。TrendForce預計23Q3 NAND Flash整體均價跌幅將收縮至5~10%,Q4有望止跌回升,預估漲幅爲0~5%。展望後續,我們預計23Q3 NAND各環節漲價將延續至23Q4;隨DRAM持續減產以及下遊服務器市場復蘇,預計23Q4 DRAM價格有望开始回升。

中國台灣廠商高頻數據:

主流存儲器價格仍相對承壓,中國台灣存儲市場的重點公司如旺宏、華邦電、南亞科、力積電營收同比下降,但進入三季度,受益於市場回暖、部分產品價格上漲,8月各家營收環比均上升:旺宏8月營收同比-30.23%,環比+19.23%;華邦電8月營收同比-13.21%,環比+1.74%;南亞科8月營收同比-24.69%,環比+5.65%;力積電8月營收同比-46.03%,環比+1.20%。

供給側與需求側近況更新:

供給端:爲應對下遊需求持續疲軟、行業供過於求,部分廠商調降投片量,同時下調2023年資本开支及產能提升預期。據各公司業績交流會,美光FY2023資本支出降至70億美元,同比-40%以上,並將對DRAM和NAND進一步減產30%至2024年;SK海力士FY2023資本开支將同比削減超50%,並決定對NAND進一步減產5-10%;西部數據預計FY2024資本支出將大幅下降;三星平澤與西安廠擴大減產幅度;我們預計23H2大廠庫存消耗速度將加快,促使半導體整體產業狀況改善。量產、擴產方面,SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量產並供貨OPPO;此外,SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品,計劃2025H1量產。從歷史周期看,資本开支增速與市場規模增速強相關性,隨着各大存儲廠商陸續下調2023年資本开支計劃並降低稼動率,我們預計23年行業供給增速將低於需求增速,供需將逐步達到平衡,有助於庫存修復,我們看好存儲板塊周期2023年下半年見底。

需求端:下遊廠商“降成本、去庫存”趨勢持續,看好需求逐步復蘇。2022年需求疲軟下行業庫存持續攀升,23H1行業庫存持續去化,具體來看,IoT品類中海外市場及低階產品需求更好,Q2供應鏈去庫存接近尾聲,下遊客戶逐步恢復拉貨;手機品類中高端產品需求穩定,低階產品需求更具韌性(性價比凸顯),供應鏈中部分細分品類庫存去化進展順利,已進入補庫存階段;PC 23Q2庫存持續去化,23H2需求有望進一步回暖;傳統服務器行業仍處於庫存去化階段。我們認爲,目前終端廠商已處於去庫存的後期,全年出貨有望呈現前低後高,看好23H2至24年下遊需求回暖趨勢:1)服務器端,我們預計23Q3需求有望實現環比增長,看好23H2 DDR5服務器端需求提升,同時AI服務器DRAM和NAND的容量需求(content)是傳統的6~8x和3x;2)PC端,我們預計23年PC出貨同比下滑低兩位數(low-double digit);3)手機及智能終端,我們預計23年智能手機出貨同比下降中個位數(mid-single digit),年內前低後高,庫存逐季改善;4)汽車端穩健增長,預計23Q3工業市場初步復蘇,行業庫存及需求有望在23H2持續改善。

投資建議:國內廠商已發布2023年中報業績,整體來看23Q2基本面企穩或環比向好,23Q4環比改善預期相對明晰。

國內廠商主要布局利基存儲設計或主流存儲模組環節,Q2大部分存儲廠商毛利率已至近年低位,庫存見頂,營收/出貨量出現環比增長,部分廠商Q2利潤端環比改善。我們預計23H2隨庫存去化,需求逐步回歸,行業細分龍頭有望迎來業績修復機會,看好國內存儲產業鏈周期復蘇疊加國產化趨勢下的投資機遇。建議關注:1)存儲模組;2)存儲芯片設計;3)存儲配套芯片。

風險因素:

下遊需求復蘇不及預期;芯片價格持續下跌;行業競爭日益加劇;新技術研發進展緩慢;國際地緣政治衝突等。

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